隨著智能計(jì)算、大數(shù)據(jù)等技術(shù)的發(fā)展，低計(jì)算強(qiáng)度、高訪存頻率的數(shù)據(jù)密集型計(jì)算需求激增，支持?jǐn)?shù)據(jù)原位存儲(chǔ)與計(jì)算的非易失存算一體技術(shù)受到廣泛關(guān)注。當(dāng)前，該技術(shù)存在“存力”與“算力”難以協(xié)同的問題，實(shí)現(xiàn)兩者有機(jī)融合以應(yīng)對(duì)不同類型計(jì)算任務(wù)成為關(guān)鍵挑戰(zhàn)。針對(duì)上述問題，近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所在高密度非易失存算與近存技術(shù)研究方面取得進(jìn)展。

　　在存算技術(shù)方面，團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了基于電荷俘獲型晶體管混合域存內(nèi)計(jì)算宏芯片，研究了高密度差分增益式存算陣列、高能效模擬預(yù)測(cè)—數(shù)字計(jì)算工作機(jī)制，以及低硬件開銷的定點(diǎn)/浮點(diǎn)數(shù)據(jù)統(tǒng)一處理與計(jì)算電路。該技術(shù)得到了流片驗(yàn)證，可高效支持INT4/8和FP4矩陣—向量計(jì)算，實(shí)現(xiàn)了非易失存算芯片存儲(chǔ)密度與算力密度的共同提升。

　　在近存技術(shù)方面，團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了基于新型鐵電NAND閃存的近存計(jì)算芯片，研究了基于后道鐵電柵晶體管的鐵電NAND閃存陣列、充電—放電交替式讀取方案與極性自轉(zhuǎn)換靈敏放大器電路，以及低開銷與多功能相位域近存計(jì)算單元。相關(guān)技術(shù)得到了流片驗(yàn)證，可高效支持高維度、高并行、多比特向量的近似向量搜索任務(wù)，為發(fā)展大容量NAND型近存技術(shù)提供了新思路。

　　研究工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)和中國(guó)科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)的支持。